9款DDR实战内存延迟手工优化完全手册(多图)
虽然目前内存价格的下调如流星雨般降落在地球上，但是我们真的有必要再花钱去给我们的爱机“添丁”吗？尤其是大多新购的机器都512M内存标准配置，按说使用上应该是绰绰有余了，可是您的机器为什么跑“天堂II”或“魔兽世界”的时候还要顿一顿呢？512M内存可是他们的推荐配置啊~~~而目前所谓的“内存优化软件”都是治标不治本，若打开“天堂II”或“魔兽世界”的话可能连标都不治了。
\r\n\r\n其实这时真正的原因是内存的性能。既然我们要在家庭里手工优化内存，那么我们需要了解什么呢？
\r\n首先我们要先了解影响内存性能的几个参数：
\r\n 一、工作频率
1、DDR内存既然叫做双倍速率SDRAM（Dual date rate SDRSM），就是说他是SDRAM的升级换代产品。从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。那么大家就应该知道了，我们所说的DDR400，DDR333，DDR266，他们的工作频率其实仅为那些尾数的一半，也就是说DDR400工作频率为200MHz。了解了这些，有助于我们接下面来更改DDR的内存设置。
2、工具测试法，我们可以使用一些工具来测试我们的内存的频率，如SISSOFT SANDRA2005，他们可以很简单的将您内存的工作频率显示出来，比较方便喽...
\r\n3、小编能告诉您的是，内存的工作频率的修改将最大程度上的影响您内存的性能，但是超频的前提——散热和扎实的硬件知识是必不可少的，而根据不同机器其他配件的优良程度，超频将是一个非常不稳定且危险系数极大的工作，那么我们的优化可能将为我们机器的今后的使用留下很多的隐患，优化后的烤机和测试的工作量也将非常巨大，看来普通家庭对内存的优化还是要另觅他路哦。
\r\n 二、工作电压
目前我们接触最多的DDR内存电压是2.5V、2.6V和2.8V，当然随着电压的提高，性能也就提高了。虽然很多主板的BIOS都提供了内存电压的调节选项，但在家庭中由于散热和技术能力的约束，个人修改电压的方法成为了既困难又危险的事情，所以我们暂不考虑他。
三、延迟参数。
\r\n什么是内存延迟呢?
\r\n内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
\r\n打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。
\r\n这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。
\r\n通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
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如图所示，我们可以看到Crucial DDR333内存的延迟图表
如图所示，我们可以看到Crucial DDR333内存的延迟图表。通过这张图表，我们可以看出延迟数字所表示的含义。以最上面的CL=2的内存为例，图中分别有CAS2，CAS2.5以及CAS3三种延时。注意垂直的虚线，它表示的是时钟信号的上升沿或下降沿。由于这是一款DDR内存，因此，一个时钟周期内含有两个点。
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\r\n一块延迟设置为2-2-2-5的DDR内存，其性能要高出延迟为3-4-4-8的DIMM。这是因为前者接收到一条指令，找回数据以及送回数据的延迟要比后者要短。
\r\n体现在BIOS设置里，还有很多相关的选项：
\r\n
BIOS设置
在BIOS主界面的 Advanced Chipset Features 选项子界面中大家可以看到：
SDRAM Frequency
Configure SDRAM Timing by SPD
SDRAM CAS# Latency 简称CL
SDRAM RAS# Precharge 简称TRP
SDRAM RAS# to CAS# Delay 简称TRCD
SDRAM Precharge Delay 简称TRAS
SDRAM Burst Length 简称BL
具体在选项的描述上可能有差异，更多详细请参考附录1。
\r\n其实内存延迟的调节一定意义上也是超频的一种手段，但是它是在最低危险程度下根据内存的自身条件做出的调节，也就是说，在内存的反应程度上调节内存的工作的状态，叫它少休息，多工作，所以长期调整内存延迟对内存本身还有一定伤害的。事先声明，并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数成为了我们至关重要的一个环节。
\r\n本着DIY精神并以面向广大消费者为目的，我们今天拿来了目前石家庄市场上9大品牌的DDR400 256M内存和大家协同实战，包括：Kingston 金士顿、TwinMOS 勤茂、HY 现代、LEADRAM 超胜、Apacer 宇瞻、V-DATA 威刚、GIGARAM 光电、Kingstek 金士泰、Geil 金邦，足够囊括您的内存在内，您也可以参考我们的测试结果合理设计您自己的优化测试，以达到最好的效果。我们当然不推荐“拿来主义”，内存的具体性能还是由内存个体来决定的，请不要在未经过测试就轻易照抄参数直接使用，小心您的内存吃不消哦。
\r\n看看我们的全家福：（小编早就口水一地了）
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全家福
全家福
Kingston 金士顿 DDR400 256M
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Kingston 金士顿 DDR400 256M
Kingston 金士顿 DDR400 256M
Kingston 金士顿 DDR400 256M
Kingston 金士顿 DDR400 256M
TwinMOS 勤茂 DDR400 256M
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TwinMOS 勤茂 DDR400 256M
TwinMOS 勤茂 DDR400 256M
TwinMOS 勤茂 DDR400 256M
TwinMOS 勤茂 DDR400 256M
HY 现代 BT-D43 DDR400 256M
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HY 现代 BT-D43 DDR400 256M
HY 现代 BT-D43 DDR400 256M
HY 现代 BT-D43 DDR400 256M
HY 现代 BT-D43 DDR400 256M
LEADRAM 超胜 BT-D43 DDR400 256M
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LEADRAM 超胜 BT-D43 DDR400 256M
LEADRAM 超胜 BT-D43 DDR400 256M
LEADRAM 超胜 BT-D43 DDR400 256M
LEADRAM 超胜 BT-D43 DDR400 256M
Apacer 宇瞻 DDR400 256M
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Apacer 宇瞻 DDR400 256M
Apacer 宇瞻 DDR400 256M
Apacer 宇瞻 DDR400 256M
Apacer 宇瞻 DDR400 256M
V-DATA 威刚 DDR400 256M
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V-DATA 威刚 DDR400 256M
V-DATA 威刚 DDR400 256M
V-DATA 威刚 DDR400 256M
V-DATA 威刚 DDR400 256M
GIGARAM 光电 DDR400 256M
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GIGARAM 光电 DDR400 256M
GIGARAM 光电 DDR400 256M
GIGARAM 光电 DDR400 256M
GIGARAM 光电 DDR400 256M
Kingstek 金士泰 DDR400 256M
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Kingstek 金士泰 DDR400 256M
Kingstek 金士泰 DDR400 256M
Kingstek 金士泰 DDR400 256M
Kingstek 金士泰 DDR400 256M
Geil 金邦 DDR400 256M
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Geil 金邦 DDR400 256M
Geil 金邦 DDR400 256M
Geil 金邦 DDR400 256M
我们今天的主角就是内存延迟，马上开始我们的优化实战吧！
\r\n一、优化方法：
优化前的设置准备：
本次优化主要在于考察内存延迟对内存性能的影响，也比较适合家庭。请您事先确认并记录您的BIOS设置（最好将重要选项记录在一张纸上比较方便），再进入BIOS设置选择Load Optimized Defaults，将您的BIOS设置恢复为默认的工厂设定值，再修改相关参数进行优化测试。如果造成机器启动失败，那就把BIOS清除一下，选择Load Optimized Defaults就可以恢复到修改参数前的状态了。
既然我们要考察内存延迟，所以不能让其他选项干扰到测试的结果，上面的工作也是为了这个目的，另外还请保持您BIOS中除CL-TRP-TRCD-TRAS以外的值在测试中每一次更改参数时为统一，尤其是下面两个主要参数请依情况设定成固定值。
1）SDRAM Frequency 选项请设置为AUTO
2）对于非双通道系统的用户请确认您的Burst Length（BL）保持设定为8，而双通道系统的用户则应该设定为4。
软件准备：
本次实战使用的软件为：
1）PCMARK04 我们用它的内存测试模块，得分越高越好。
2）SISSOFT SANDRA2005 用它来测试内存的传输带宽，数值越大越好。
3）QUAKE3 Arena DEMO 1.09 测试的是游戏当中的FPS值，这也是广大游戏爱好者最关心的部分，FPS越高表示游戏显示幅度越快，当然表现越流畅。
4）EVEREST(AIDA32) Home V2.00.327 Beta 这个是个老牌软件，它的内存测试部分可以对内存读取，内存写入，内存潜伏期进行测试，潜伏期的时间当然越小越好（别光潜伏着，出来干活啊），而读取和写入的速度也是内存性能的重要参数，越快表示性能越好。
5）Super Pi V1.1是一款计算圆周率的软件，它对内存和CPU方面极为敏感，计算固定位数的圆周率当然时间越短才越快。
6）Sciencemark v2.0 也是一款老牌测试软件，它的内存检测部分可以给我们的内存一个全面的评价，我们这里使用的是内存带宽的数值，越宽表示越快喽。
7）Windows Media Encoder V9.0 是PCPCMARK04需要的辅助软件。
具体软件下载及使用方法请参考附录2。
\r\n 优化步骤：
1）将Configure SDRAM Timing by SPD 选项设置为 Enabled，这样内存延迟的设置由内存的SPD自动设定。
2）按照CL-TRP-TRCD-TRAS的顺序依次将数值设定为2.5-3-3-6、2-3-3-6、2-4-4-8、2.5-4-4-8、3-4-4-8。（若您有兴趣并且您的主板还提供更多的数值选项，您可以做更多的测试）
我们本次实战的机器配置非常简单：
主板：磐英 865P
CPU：P4 3.0GE
硬盘：日立 80G
显卡：小影霸 9550 128Bit 128M
测试使用的是双通道，所以我们的BL值统一设置为4。
实战一：SPD
\r\n\r\n当我们设定成SPD时，内存的工作参数是按照内存上的SPD芯片内的设置。也就是我们平时使用时，在没有人工调节参数的情况下默认的设置（当然也是您实战前的状态了）。
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SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
SPD状态下的测试
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实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
实战二：2.5-3-3-6
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实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
实战三：2-3-3-6
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实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
实战四：2-4-4-8
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实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
实战五：2.5-4-4-8
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实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
实战六：3-4-4-8
结果总结：
经过这么多次的优化测试，大家应该可以看出了几个重要的问题：
\r\n1）并非所有的延迟设置计算机都能正常启动。
2）延迟设置最短或最长，其结果也并非最快或最慢。
3）不同品牌的内存在延迟设置上的有差异，不能通用。
4）参数的配比和性能并不成比例。
5）还有一点，内存的个体差异将直接影响到测试和优化的结果，您的内存也需要一身属于自己的战甲。
也许您还能看出更多的问题，所以大量的测试和合理的分析结果将给您的内存性能带来巨大的提高。而有些主板上在内存延迟方面还提供了更多的BIOS选项，您也可以按照您BIOS的情况安排自己的参数配比来进行优化测试。
评奖：
\r\n\r\n最佳性价比奖：金士顿
\r\n
最佳性价比奖：金士顿
编辑推荐奖：超胜
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编辑推荐奖：超胜
最具潜力奖：光电
\r\n
最具潜力奖：光电
附录1：
\r\n\r\n一：关于内存超频与设置的基础知识
\r\n在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解，下面这十点，使笔者通过反复论证得到的结果，请大家务必了解。
\r\n1、对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素。
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2、目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 P-Bank 的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 P-Bank 还是双 P-Bank 呢？就目前市场上的产品而言 ，256MB 的模组基本都是单 P-Bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都是双 P-Bank的。
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3、页面数量的计算公式为： P-Bank 数量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256MB 内存，就是 2X4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4 个页面。
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4、CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP。
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5、当内存页面数为 4 时 ，tRAS 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另外，短 tRAS 的内存性能相对于长 tRAS 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感。
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6、当内存页面数大于或等于 8 时，tRAS 设置长一些会更好。
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7、对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好。
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8、对于非双通道 Pentium4 与 AMD 64 平台，tRAS 长短之间的性能差异要缩小。
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9、Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台下 ，BL=4 大多数情况下是更好的选择，其他情况下 BL=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整。
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10、适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性。
\r\n二、BIOS中内存相关参数的设置要领
\r\n Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）
可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）
这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。
Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。
Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。
RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。
RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。
Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。
三、认清影响内存性能的关键
\r\n在讲完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之后，我们现在要重要分析一下 SDRAM 的时序与性能之间的关系，它不再局限于芯片本身，而是要从整体的内存系统去分析。这也是广大 DIYer 所关心的话题。比如 CL 值对性能的影响有多大几乎是每个内存论坛都会有讨论，今天我们就详细探讨一下。这里需要强调一点，对于内存系统整体而言，一次内存访问就是对一个页 （Page）的访问。由于在 P-Bank 中，每个芯片的寻址都是一样的，所以可以将页访问“浓缩”等效为对每芯片中指定行的访问，这样可能比较好理解。但为了与官方标准统一，在下文中会经常用页来描述相关的内容，请读者注意理解。
\r\n可能很多人还不清楚页的概念，在这里有必要先讲一讲。从狭义上讲，内存芯片芯片中每个 L-Bank 中的行就是页，即一行为一页。但从广义上说，页是从整体角度讲的，这个整体就是内存子系统。
\r\n对于内存模组，与之进行数据交换的单位就是 P-Bank 的位宽。由于目前还没有一种内存芯片是 64bit 位宽的，所以就必须要用多个芯片的位宽来集成一个 P-Bank。如我们现在常见的内存芯片是 8bit 位宽的，那么就需要 8 颗芯片组成一个 P-Bank 才能使系统正常工作。而 CPU 对内存的寻址，一次就是一个 P-Bank，P-Bank 内的所有芯片同时工作，这样对 P-Bank 内所有的芯片的寻址都是相同的。比如寻址指令是 B1、C2、R6，那么该 P-Bnak 内的芯片的工作状态都是打开 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。好了，所谓广义上的页就是指 P-Bank 所包括的芯片内相同 L-Bank 内的相同工作行的总集合 。页容量对于内存子系统而言是一个很重要的指标。这个参数取决于芯片的容量与位宽的设计。由于与本文的关系不大，就不具体举例了。
\r\n早期 Intel 845 芯片组 MCH 的资料：它可以支持 2、4、8、16KB 的页容量
\r\n总之，我们要知道，由于寻址对同一 L-Bank 内行地址的单一性，所以一个 L-Bank 在同一时间只能打开一个页面，一个具有 4 个 L-Bank 的内存芯片，可以打开 4 个页面。这样，以这种芯片组成的 P-Bank，也就最后具备了 4 个页面，这是目前 DDR SDRAM 内存模中每个 P-Bank 的页面最大值。
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1、影响性能的主要时序参数
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在讲完内存的基本操作流程与相关的 tRP、tRCD、CL、BL 之后，我们就开始深入分析这些参数对内存性能的影响。所谓的影响性能是并不是指 SDRAM 的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。
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非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是 tRCD、CL 和 tRP。按照规定，每条正规的内存模组都应该在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。
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以内存最主要的操作——读取为例。tRCD 决定了行寻址（有效）至列寻址（读 / 写命令）之间的间隔 ，CL 决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP 则决定了相同 L-Bank 中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下对某一页面进行读取时可能遇到的几种情况（分析写入操作时不用考虑 CL 即可）：
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1、要寻址的行与 L-Bank 是空闲的。也就是说该 L-Bank 的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为 tRCD+CL，这种情况我们称之为页命中 （PH，Page Hit）。
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2、要寻址的行正好是现有的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为 CL，这就是所谓的背靠背 （Back to Back）寻址，我们称之为页快速命中（PFH，Page Fast Hit）或页直接命中（PDH，Page Direct Hit）。
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3、要寻址的行所在的 L-Bank 中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是 tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失 （PM，Page Miss）。
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显然，PFH 是最理想的寻址情况，PM 则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高 PHR 与 PFHR，同时减少 PMR，以达到提高内存工作效率的目的。
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2、增加 PHR 的方法
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显然，这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高 PHR。自动预充电技术就是其中之一，它自动的在每次行操作之后进行预充电，从而减少了日后对同一 L-Bank 不同行寻址时发生冲突的可能性。但是，如果要在当前行工作完成后马上打开同一 L-Bank 的另一行工作时，仍然存在 tRP 的延迟。怎么办？ 此时就需要 L-Bank 交错预充电了。
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早期非常令人关注的VIA 4路交错式内存控制，就是在一个L-Bank工作时，对另一个L-Bank进行预充电或者寻址（如果要寻址的L-Bank是关闭的)。这样，预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L-Bank时，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了，如果配合得理想,那么就可以实现无间隔的L-Bank交错读/写（一般的，交错操作都会用到自动预充电）,这是比PFH更好的情况，但它只出现在后续的数据不在同一页面的时时候。当时VIA声称可以跨P-Bank进行16路内存交错，并以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）算法进行 交错预充电/寻址管理。
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L-Bank 交错自动预充电 / 读取时序图
L-Bank 交错自动预充电 / 读取时序图： L-Bank 0 与 L-Bank 3 实现了无间隔交错读取，避免了 tRP与tRCD对性能的影响 ，是最理想的状态
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3、增加 PFHR 的方法
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无论是自动预充电还是交错工作的方法都无法消除同行（页面）寻址时tRCD 所带来的延迟。要解决这个问题，就要尽量让一个工作行在进行预充电前尽可能多的接收工作命令，以达到背靠背的效果，此时就只剩下 CL 所造成的读取延迟了（写入时没有延迟）。
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如何做到这一点呢？这就是北桥芯片的责任了。现在我们就又接触到 tRAS 这个参数，在 BIOS 中所设置的 tRAS 是指行有效至预充电的最短周期，在内存规范中定义为 tRAS（min），过了这个周期后就可以发出预充电指令。对于 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令 5 个时钟周期之后发出，最长间隔视芯片而异（目前的 DDR SDRAM 标准一般基本在 70000ns 左右），否则工作行的数据将有丢失的危险。那么这也就意味着一个工作行从有效（选通）开始，可以有 70000ns 的持续工作时间而不用进行预充电。显然，只要北桥芯片不发出预充电（包括允许自动预充电）的命令，行打开的状态就会一直保持。在此期间的对该行的任何读写操作也就不会有 tRCD 的延迟。可见，如果北桥芯片在能同时打开的行（页）越多，那么 PFHR 也就越大。需要强调的是，这里的同时打开不是指对多行同时寻址（那是不可能的），而是指多行同时处于选通状态。我们可以看到一些 SDRAM 芯片组的资料中会指出可以同时打开多少个页的指标，这可以说是决定其内存性能的一个重要因素。
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但是，可同时打开的页数也是有限制的。从 SDRAM 的寻址原理讲，同一L-Bank 中不可能有两个打开的行（读出放大器只能为一行服务），这就限制了可同时打开的页面总数。以 SDRAM 有 4 个 L-Bank，北桥最多支持 8 个 P-Bank（4 条 DIMM）为例，理论上最多只能有 32 个页面能同时处于打开的状态。而如果只有一个 P-Bank，那么就只剩下 4 个页面，因为有几个 L-Bank 才能有同时打开几个行而互不干扰 。Intel 845 的 MHC 虽然可以支持 24 个打开的页面，那也是指 6 个 P-Bank 的情况下（845MCH 只支持 6 个 P-Bank）。可见 845 已经将同时打开页数发挥到了极致。
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不过，同时打开页数多了，也对存取策略提出了一定的要求。理论上，要尽量多地使用已打开的页来保证最短的延迟周期，只有在数据不存在（读取时）或页存满了（写入时）再考虑打开新的指定页，这也就是变向的连续读 / 写。而打开新页时就必须要关闭一个打开的页，如果此时打开的页面已是北桥所支持的最大值但还不到理论极限的话 （如果已经达到极限，就关闭有冲突的L-Bank内的页面即可），就需要一个替换策略，一般都是用 LRU 算法来进行，这与 VIA 的交错控制大同小异。
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回到正题，虽然 tRAS 代表的是最小的行有效至预充电期限，但一般的，北桥芯片一般都会在这个期限后第一时间发出预充电指令（自动预充电时，会在tRAS之后自动执行预充电命令），只有在与其他操作相冲突时预充电操作才被延后（比如，DDR SDRAM 标准中规定，在读取命令发出后不能立即发出预充电指令）。因此，tRAS 的长短一直是内存优化发烧友所争论的话题，在最近一两年，由于这个参数在 BIOS 选项中越来越普及，所以也逐渐被用户所关注。其实，在 SDRAM 时代就没有对这个参数有刻意的设定，在 DDR SDRAM 的官方组织 JEDEC 的相关标准中，也没有把其列为必须标明的性能参数 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 应该是某些主板厂商炒作出来的，并且在主板说明书上也注明越短越好。
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其实，缩小 tRAS 的本意在于，尽量压缩行打开状态下的时间，以减少同 L-Bank 下对其他行进行寻址时的冲突，从内存的本身来讲，这是完全正确的做法，符合内存性能优化的原则，但如果放到整体的内存系统中，伴随着主板芯片组内存页面控制管理能力的提升，这种做法可能就不见得是完全正确的，在下文中我们会继续分析 tRAS 的不同长短设置对内存性能所带来的影响。
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4、BL 长度对性能的影响
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从读 / 写之间的中断操作我们又引出了 BL（突发长度）对性能影响的话题。首先，BL 的长短与其应用的领域有着很大关系，下表就是目前三个主要的内存应用领域所使用的 BL，这是厂商们经过多年的实践总结出来的。
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BL与相应的工作领域
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BL 越长，对于连续的大数据量传输很有好处，但是对零散的数据，BL 太长反而会造成总线周期的浪费，虽然能通过一些命令来进行终止，便也占用了控制资源。以 P-Bank 位宽 64bit 为例 ，BL=4 时，一个突发操作能传输 32 字节的数据，为了满足 Cache Line 的容量需求，还得多发一次，如果是 BL=8，一次就可以满足需要，不用再次发出读取指令。而对于 2KB 的数据 ，BL=4 的设置意味着要每隔 4 个周期发送新的列地址，并重复 63 次。而对于 BL=256，一次突发就可完成，并且不需要中途再进行控制，但如果仅传输 64 字节，就需要额外的命令来中止 BL=256 的传输。而额外的命令越多，越占用内存子系统的控制资源，从而降低总体的控制效率。从这可以看出 BL 对性能的影响因素，这也是为什么 PC 上的内存子系统的 BL 一般为 4 或 8 的原因。但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好呢？并不能统一而论，这在下文会分析到。
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到此，大家应该有一些优化的眉目了吧。我们可以先做一下界定，任何情况下，只要数值越小或越大（单一方向），内存的性能会越好的参数为 绝对参数 ，而数值越小或越大对性能的影响不固定的参数则为 相对参数。那么，CL、tRCD、tRP 显然就是绝对参数，任何情况下减少它们的周期绝对不会错。而且从上文的分析可以发现 ，从重要性来论，优先优化的顺序也是 CL → tRCD → tRP，因为 CL 的遇到的机会最多，tRCD 其次，tRP 如果页面交错管理的好，大多不受影响。而 BL、tRAS 等则可以算是相对参数。也正是由于这些相对参数的存在，才使得内存优化不再那么简单。
\r\n四、其他相关内存的更多BIOS设置
\r\n 想提高内存性能的用户可以参考以下内存设置：开机后按Del键进入bios 菜单，选择
(1)进入"Advanced Chipset Features"下的" System BIOS Cacheable "
System BIOS Cacheable : 优化时应设为Enabled
打开这个功能可以允许系统在需要的时候将BIOS存放到L2缓存里，比BIOS存放在内存更能加快BIOS的
(2) 进入"Advanced Chipset Features"下的"DRAM Clock/Drive Control"(见图一)具体的设置如下：
System BIOS
System Performance : 优化时应设为Turbo
\r\n 系统提供Normal, Fast, Fastest, Turbo四个选项，当用户选择其中一项后，相关的项目如DRAM Active to CMD等会自动调整，方便用户调整系统性能。注意，大部分的DDR内存在Turbo这样的设定下都不能稳定工作，这种设置需要很好的内存条。如果想要得到最佳性能，那用户就要购买像三星、Micron这样的名牌内存条。
DRAM Clock : 优化时应设为 133 Mhz
系统时钟循环周期有By SPD/100MHz/133MHz三个选项，用来设置内存与CPU外频同步或异步。By SPD是让主板自动识别PC1600和PC2100的DDR内存；100MHz/133MHz就是强制内存运行在设置的频率。当然强制内存运行在133MHz是最好的啦（如果采用kt333芯片的支持，内存运行在166MHz更加没问题）。在实际使用中如果用户想系统工作的更快应该将CPU与内存同步采用133 Mhz。
DRAM Timing: 优化时应设为Manual
有Manual, SPD两个选项。 By SPD是让内存自动选择反应时间等参数。设为手动（Manual），可以调节读取数据所延迟的时间（SDRAM Cycle Length）和内存交错（Bank Interleave）。
SDRAM Cycle Length : 优化时应设为2
DDR SDRAM能够运行（CL）2或3模式，也就是说它们读取数据所延迟的时间既可以是两个时钟周期或是三个时钟周期。当然时钟周期小，系统运行的速度就快。但当CPU超频时，低的时钟周期未必能使用户的系统长时间稳定运行。
Bank Interleave : 优化时应设为4 Bank
系统有None、2 Bank和4 Bank三个选项。一般设为4 Bank，这是提升VIA芯片组内存性能的重要参数，但开启之后将影响内存的超频能力。内存交错（memory interleaving）可以让系统对内存的不同bank进行同时存取，而不是持续存取。Bank表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量（现在通常是4个bank）。Interleave是加快内存速度的一种技术，举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。这样，2或4路交错技术减少了等待时间，让内存更快,虽然不是2或4倍的速度，但还是快了许多。要购买VIA芯片主板的朋友，一定要认准有4 Bank interleaving调节的板子再买，没有它，内存性能上可要大打折扣的！
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DRAM Burst Length : 优化时应设为8
要使用这选项必须使用在2001年10月17日以后的bios。我尝试设为8和4进行测评，最后选择高分的8。这可能是KT266A芯片与KT266芯片在处理内存爆发字节长度上不同之处，多数KT266芯片的主板BIOS上是没有这个选项。
DRAM PreChrg to Act CMD : 优化时应设为2T
DRAM Act to PreChrg CMD: 优化时应设为 6T
当设为5T时系统性能没有明显的提高。另一方面当长时间把值设为5T会导致数据丢失和硬盘错误。切记小心使用！！！！
DRAM Active to CMD : 优化时应设为2T
表示内存对命令的反应时间，当然2T比3 T要快很多。
DRAM Queue Depth : 优化时应设为4 Level
DRAM Drive Strength : 优化时应设为Auto
DRAM Command Rate : 优化时应设为1T
设为1T会得到更好的内存性能。但是，1T似乎是个极苛刻的设置，要有质量比较好的内存来支持。
DCLK I/O Timing : 优化时应设为0ns
Fast R-W Turn Around : 优化时应设为Enabled
设为Enabled能打开内存快速读写转换功能
Continuos DRAM Request: 优化时应设为Enabled
设为Enabled能打开内存连续请求功能
（3）要使系统稳定工作，还必须在 "Frequency/Voltage Control" 设置以下值:
Auto Detect DIMM/PCI Clk ：设为Enabled
CPU Clock ：设为133
CPU Ratio ：设为最稳定的倍频
取决于CPU在破解倍频后能提供的最大而且能稳定工作的倍频。雷鸟、毒龙CPU破解倍频的方法是用铅笔把L1上的金点连接起来。
CPU VCore Voltage ：设为1.75
CPU VCore Voltage表示CPU 的核心电压。在超频可以支持最高核心电压 1.85 伏。当然高核心电压有利于超频后的CPU稳定工作，但也会带来发热量的增加。
VDIMM Voltage：设为2.60
8KHA+的内存电压是默认2.60伏，比正常内存电压多0.10伏. CPU超频后为使系统稳定工作用户可以将内存电压升高0.20 至 0.30 伏。但注意有些质量不好的内存在2.80伏下会无法工作。
附录2：
\r\n软件下载篇：
\r\n由于篇幅有限，我们将所有的下载地址集合到http://bbs.itsogo.net/read.php?tid=2200&page=1，内容有本次优化测试的所有软件，不多说了，去下吧，蛮快的哦。
\r\n软件使用篇：
1）EVEREST(AIDA32) Home V2.00.327 Beta
安装非常简单，直接解压缩就可以使用，在它的主界面（图 1.1）里我们很容易看到，在左侧列表的最下面的一个选项的[性能测试]，点击它在右侧便会显示出关于内存检测的三个模块，分别是内存读取、内存写入和内存潜伏。
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图 1.1
图 1.2
图 1.3
PCMARK04是一个很有名的计算机测试工具，功能全面且专业，我们用到的是它的内存测试模块。在它的主界面（图 2.1）上左侧的[Select]按钮便会出现图 2.2的窗口。
图 2.1
Windows Media Encoder V9.0
\snd_restart
\timedemo 1
\demo demo001
图 4.1
图 4.2
图 4.3
我们直接点击
按钮便会开始我们的测试。测试结束后，上方会出现测试的成绩，而下方会有更加详细的结果，有兴趣的可以认真翻阅一下。
图 6.1
图 6.5
Super Pi V1.1
Super Pi V1.1
Super Pi V1.1
Super Pi V1.1
Super Pi V1.1
